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IXFH40N30Q
IXFT40N30Q
70
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
60
45
40
T J = - 40oC
50
40
35
30
25
25oC
125oC
30
20
T J = 125oC
25oC
- 40oC
20
15
10
10
5
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
V DS = 150V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
8
I D = 20A
I G = 10mA
80
6
60
4
40
T J = 125oC
20
0
T J = 25oC
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1,000
Coss
10
1ms
Crss
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
Single Pulse
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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